Samsung Galaxy S9 ma być najszybszy dzięki litografii 7 nm. To już nie Intel liderem miniaturyzacji?
Samsung ma ambitne plany odnośnie zastosowania jeszcze wydajniejszych jednostek w swoich urządzeniach mobilnych. Aby to osiągnąć, konieczny jest dalszy postęp w dziedzinie miniaturyzacji. Nowa strategia producenta zakłada wyprodukowanie na początku 2018 układów SoC wykonanych w procesie 7 nm, które miałyby napędzać flagowe smartfony kolejnej generacji.
Samsung chce, byśmy szybko zapomnieli o wpadce z Galaxy Note 7 i przykuwa uwagę coraz to nowymi doniesieniami mającymi podkreślić technologiczny potencjał firmy z Korei. Jeśli chodzi o moce produkcyjne w dziedzinie półprzewodników, Samsung jest jednym z najważniejszych graczy. W swoich smartfonach korzysta np. z autorskich procesorów Exynos 7 Octa i Exynos 8 Octa, wyprodukowanych w litografii 14 nm. Pod koniec 2016 koreański producent rozpoczął pracę nad produkcją procesora firmy Qualcomm, Snapdragona 835, który znajdzie zastosowanie w Galaxy S8, powstając w procesie 10 nm.
Teraz okazuje się, że Samsung już ma plany, by po planowanej premierze Galaxy Note 8, rozpocząć prace nad produkcją czipów w procesie 7 nm. Powstaną one z wykorzystaniem litografii w skrajnym ultrafiolecie (EUV), pozwalającej tworzyć układy o bardzo niskim zużyciu energii i znacząco wyższej wydajności. Z przedstawionych podczas konferencji prasowej przed dra Heo Kuka, dyrektora zarządzającego Samsung Semiconductor System, takie właśnie czipy miałyby trafić do urządzeń Samsunga w 2018 roku, na początku do Samsunga Galaxy S9.
Pozostaje kwestią otwartą, czy Samsung udostępni swoje moce produkcyjne innym firmom, np. Apple. Może do tego zmusić Koreańczyków konkurencja z Tajwanu – firma TSMC też zapowiedziała, że w przyszłym roku rusza z procesem 7 nm.
